تغییرات مکانیکی، کش آمدن و انحنا یافتن، توانایی مواد ۲بعدی MoTe2 برای تحول تکنولوژی
مواد دو بعدی (۲D) به عنوان یک لایه نازک تک اتمی، برای دانشمندان بواسطه انعطاف پذیری، کشسانی و خصوصیات بی همتای الکترونیکی خود بسیار جلب توجه کرده ان به مانند گرافن که در ۲۰۰۴ کشف شد . برخی از این مواد بطور خاص مستعد تغییر در ویژگی های مکانیکی هستند مانند کش آمدن و انحنا برداشتن . تحت اعمال تنش، پیشبینی می شود که تغییراتی در فاز به آنها تحمیل شود بطوریکه ممکن است از یک نارسا به یک ابررسانا تبدیل شوند و یا از دیدگاه خصوصیات اپتیکی از یک ماده کدر به یک ماده شفاف گذار کنند.
در یک تحقیق اخیر، محققین در دانشگاه Rochester مواد ۲بعدی را با مواد اکسیدی ترکیب کرده ان تا به ترانزیستتوهای نانو مقیاسی دست پیدا کنند و خصوصیات مواد جدید را از زوایای مختلف بررسی کرده اند.
به گفته Stephen Wu این مواد دوبعدی پلت فرم توسعه داده شده بسیار شبیه ترانزیستورهای سنتی پیکر بندی شده است. بطوریکه یک تکه از ماده ۲ بعدی روی یک ماده فرو الکتریک قرار داده می شود. ولتاژ اعمال شده به فروالکتریک که به عنوان ترمینال سوم یا گیت عمل می کند سبب ایجاد تنش به ساختار دو بعدی از طریق خاصیت پیزوالکتریک ماده فروالکتریک می گردد .
این، به نوبه خود، موجب تغییر فاز می شود که می تواند به طور کامل رفتار مواد را تغییر دهد. هنگامی که ولتاژ خاموش می شود، ماده فاز جدید را حفظ می کند تا زمانیکه یک ولتاژ قطب مخالف اعمال شود، و این باعث می شود که مواد به مرحله اولیه بازگردند. wu و همکارانش با استفاده از یک فیلم نازک دوتلیورید مولیبدن دو بعدی (MoTe2) در مقاله شان پلت فرمی از یک ترانزیستور را توصیف می کنند. هنگام کشش و کشش، MoTe2 از یک ماده نیمه رسانایی کم هدایت به یک مواد نیمه رسانای بسیار رسانا تغییر می کند و دوباره و دوباره تغییر فاز تکرار می گردد.
